5月15日，剑桥大学电子电气工程系主任、英国皇家科学院院士John Robertson教授应邀作客“珞珈讲坛”第293讲，在樱顶老图书馆为武大师生带来一场题为“Future Electronic Devices And Where New Materials Can Help”的精彩讲座，武汉大学校长助理陈慧东为John Robertson教授颁发珞珈讲坛纪念证书。电气与自动化学院院长助理张慧教授主持了论坛。

John Robertson教授从半导体产业的发展历史谈起，介绍半导体产业继续发展面临的难题。他指出，半导体行业发展中是通过不断缩小器件的尺寸来达到提高计算机芯片性能的目的，在此过程中并未改变过以硅（Si）和二氧化硅（SiO2）作为半导体和绝缘体的器件材料这一主体结构，而硅材料的局限性使电子器件的发展遭遇到了瓶颈。

John Robertson教授详细介绍了现阶段半导体行业的发展前沿。他强调，半导体行业采用新型材料二氧化铪（HfO2）作为栅极绝缘体材料并改用铜布线的技术，可以进一步缩小器件尺寸将场效应管技术推进至7到5纳米级别。而在市场需求方面，他认为，存储器件将替代逻辑器件的位置，成为未来高性能器件的主要需求方向，逻辑器件本身则将主要依靠量子计算技术得以进一步发展。

John Robertson教授重点介绍了二硫化钼（MoS2）等二维材料和新型铁电材料存贮器件，并预测了未来二十年半导体器件的发展方向和发展中可能遇到的技术难题。

在现场互动环节里，同学们抓住难得机会，纷纷举手提出自己的思考和困惑，现场气氛热烈，John Robertson教授的精彩解答赢得了同学们一阵又一阵的热烈鼓掌。论坛结束后John Robertson教授亲切地同与会师生合影留念。

（撰稿：金旭荣 摄影：孙习红 审稿：张慧 责编：彭赟）